晶体管教程要点及区别

发表于 2019-06-25 10:26:29 已收藏
赞(0) •  评论(0

晶体管教程要点及区别

发表于 2019-06-25 10:26:29
+关注

优德体育 我们可以总结一下这个晶体管教程部分的主要内容如下:

研究了NPN和PNP双极结晶体管(BJT)以及场效应晶体管的结构和操作(FET),结和绝缘栅,我们可以总结这些晶体管教程的要点,如下所述:

双极结型晶体管(BJT)是一种三层器件,由两个连接在一起的半导体二极管结构成,一个正向偏置,一个反向

有两种主要类型的双极结型晶体管,(BJT) NPN 和 PNP 晶体管。

优德体育 双极结晶体管是“电流操作设备”,其中 Base 电流小得多,导致发射器更大到收集器电流,它们本身几乎相等,流动。

晶体管符号中的箭头表示传统的电流。

最常见的晶体管连接是公共发射极(CE)配置,但公共基极(CB)和公共集电极(CC)也可用。

需要偏置电压用于交流放大器操作。

优德体育 基极 - 发射极结是alwa ys正向偏置,而集电极 - 基极结总是反向偏置。

晶体管中流动电流的标准公式如下: I E = I B + I C

收集器或输出特性曲线可用于查找 Ib , Ic 或β,可以构造负载线以确定合适的工作点, Q 基极电流的变化决定了工作范围。

优德体育 晶体管也可用作其饱和区和截止区之间的电子开关,以控制诸如灯具,电机和螺线管等。

直流电机,继电器和螺线管等感应负载需要在负载两端放置一个反向偏置的“飞轮”二极管。这有助于防止负载切换到“OFF”时产生的任何感应反电动势,从而损坏晶体管。

NPN晶体管要求 Base 更正比 Emitter 而PNP类型要求 Emitter 比 Base 更积极。

场效应晶体管教程

场效应晶体管,或FET是“电压操作设备“并且可以分为两种主要类型: Junction-gate 设备,称为 JFET的和绝缘门设备,称为 IGFET 或更常见的 MOSFET 。

绝缘栅器件也可以细分进入增强类型和耗尽类型。所有形式均提供N沟道和P沟道版本。

FET具有非常高的输入电阻,因此很少或没有电流(MOSFET类型)流入输入端子理想的用作电子开关。

由于绝缘氧化层,MOSFET的输入阻抗甚至高于JFET的输入阻抗,因此静电很容易损坏MOSFET器件处理它们时需要采取这些措施。

当增强型FET的栅极没有施加电压时,晶体管处于“关闭”状态,类似于“开关”。 / li>

优德体育 当没有电压施加到栅极时,耗尽型FET具有固有导电性并处于“导通”状态,类似于“闭合开关”。

与双极结晶体管相比,FET具有更高的电流增益。

最常见的FET连接是公共源(CS)配置但是还提供公共栅极(CG)和公共漏极(CD)配置。

优德体育 MOSFETS可用作理想开关,因为它们具有非常高的通道“OFF”电阻,低“ON”

优德体育 要将N沟道JFET晶体管“关断”,必须向栅极施加负电压。

转向在P沟道JFET晶体管“OFF”时,必须向栅极施加正电压。

优德体育 当施加负电压时,N沟道耗尽MOSFET处于“OFF”状态

P沟道耗尽MOSFET,当向栅极施加正电压以产生耗尽区时,它们处于“OFF”状态。 / li>

优德体育 当向栅极施加“+ ve”(正)电压时,N沟道增强型MOSFET处于“ON”状态。

优德体育 当“-ve”(负)电压时,P沟道增强MOSFET处于“ON”状态应用于门。

场效应晶体管图

结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的栅极偏置如下:

优德体育 FET和双极晶体管之间的区别

优德体育 场效应晶体管可用于取代电子电路中的普通双极结型晶体管,并简单比较FET和晶体管,说明它们的优点和它们的缺点如下:

下面是一系列互补双极晶体管,可用于低电流继电器的通用开关,驱动LED和灯,以及放大器和振荡器应用。

优德体育 互补NPN和PNP晶体管

相关推荐:

收藏

相关话题

评论(0)

加载更多评论
相关文章
  • 1970-01-01
  • 分享到

    QQ空间 QQ好友 微博
    取消